合适FPGA和ASIC的电源转换器
AOS表示：“最小的最小导通时间可实现12V总线的低输出电压，从而使该器件成为采用深亚微米工艺的下一代SoC，FPGA和ASIC的合适电源转换器。”
AOZ6762DI和AOZ6763DI分别能够提供2A和3A的输出功率，最高输出功率为15W。
AOZ6763D-块两个内部MOSFET均为n沟道，并通过自举驱动上晶体管。在这两种情况下，高端MOSFET均为145mΩ，同步整流器分别为90mΩ或80mΩ。
输入范围为4.5V至18V，输出范围为0.6V至Vin的65%。
满载时可实现> 90%的效率，并包含专有的“脉冲能量模式”(PEM)，以在10mA负载下维持高达86%的效率–“此功能使系统设计人员能够实现所需的低待机功耗满足“一瓦特倡议”。
封装为3 x 3mm DFN 8引线封装，带有裸露的散热垫–进入四层2盎司铜PCB的热上升为50°C / W。这两款器件均声称在15W时可实现57°C的温升。
可用外部补偿，允许瞬态响应和输出纹波与各种输出滤波器进行交换。
AOS市场经理Kenny Hu说：“高固定频率工作和30ns的最低最小可控导通时间等特性使AOZ6762DI和AOZ6763DI特别适合对噪声敏感的应用，例如无线路由器和音频应用。”
预测的其他应用包括机顶盒，电缆调制解调器和液晶电视。AOS表示：“最小的最小导通时间可实现12V总线的低输出电压，从而使该器件成为采用深亚微米工艺的下一代SoC，FPGA和ASIC的合适电源转换器。”
AOZ6762DI和AOZ6763DI分别能够提供2A和3A的输出功率，最高输出功率为15W。
AOZ6763D-块两个内部MOSFET均为n沟道，并通过自举驱动上晶体管。在这两种情况下，高端MOSFET均为145mΩ，同步整流器分别为90mΩ或80mΩ。
输入范围为4.5V至18V，输出范围为0.6V至Vin的65%。
满载时可实现> 90%的效率，并包含专有的“脉冲能量模式”(PEM)，以在10mA负载下维持高达86%的效率–“此功能使系统设计人员能够实现所需的低待机功耗满足“一瓦特倡议”。
封装为3 x 3mm DFN 8引线封装，带有裸露的散热垫–进入四层2盎司铜PCB的热上升为50°C / W。这两款器件均声称在15W时可实现57°C的温升。
可用外部补偿，允许瞬态响应和输出纹波与各种输出滤波器进行交换。
AOS市场经理Kenny Hu说：“高固定频率工作和30ns的最低最小可控导通时间等特性使AOZ6762DI和AOZ6763DI特别适合对噪声敏感的应用，例如无线路由器和音频应用。”
预测的其他应用包括机顶盒，电缆调制解调器和液晶电视。
