在IEEE国际电子设备会议上，索尼宣布了其在智能手机摄像头技术方面的最新突破。索尼展示了世界上第一个具有双层晶体管像素的堆叠式CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器。索尼的双CMOS图像传感器与传统CMOS图像传感器的不同之处在于，它在单独的基板层上具有独立的光电二极管和像素晶体管。CMOS图像传感器具有分层结构，该结构包括一个带有背照式像素的像素芯片，该像素芯片堆叠在带有信号处理电路的逻辑芯片之上。

索尼新的CMOS架构技术通过将饱和信号电平加倍并扩大图像的动态范围来优化光电二极管和像素晶体管层。结果，显着改善了成像特性。新的像素结构将允许像素在当前和减小的像素尺寸下保持或增加其现有特性。

新的CMOS设计使索尼能够增加放大器晶体管的尺寸。随着尺寸的增加，索尼减少了夜间和其他暗处照片可能产生的噪点。

索尼的新CMOS技术将防止在混合照明的情况下曝光不足和过度曝光。其最新的图像传感器设计承诺即使在低光照条件下也能拍出高质量、低噪点的照片。

索尼表示，其新的CMOS技术旨在用于智能手机，但没有提供我们可以期望收到使用这种新传感器设计的手机的时间框架。